Bøger af Mawloud Ould Moussa

Here, we present our numerical results of ZrxSi1-xO2 solid solutions (with x= 0-1) to predict new hypothetical tetragonal compounds of the Zircon family. We used the full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method based on DFT density functional theory in the GGA approximation as implemented in the WIEN2k code to study the structural and optoelectronic properties of the named compounds. First, we studied the properties of the compound ZrSiO4, where the obtained results are compared to several theoretical and experimental investigations. Secondly, we have predicted new hypothetical compounds for the ZrSi3O8 and Zr3SiO8 family that crystallize in the I41/amd space group. In any case, the chemical stability of the studied alloys has been verified with both the enthalpy of formation and the cohesive energy. Moreover, the phonon dispersion results also indicated this aspect. The electronic properties reveal a strong p-d covalent hybridization between Zr and O. The Zr3SiO8 compound exhibits a wide indirect band gap.

Hier präsentieren wir unsere numerischen Ergebnisse von ZrxSi1-xO2-Festkörperlösungen (mit x= 0-1), um hypothetische neue tetragonale Verbindungen der Zirkonfamilie vorherzusagen. Wir verwendeten die FP-LAPW-Methode (Full Potential Linearised Augmented Plane Wave), die auf der funktionellen DFT-Dichtetheorie in der GGA-Näherung basiert, wie sie im WIEN2k-Code implementiert ist, um die strukturellen und optoelektronischen Eigenschaften der benannten Verbindungen zu untersuchen. Zunächst untersuchten wir die Eigenschaften der Verbindung ZrSiO4, wobei die erzielten Ergebnisse mit mehreren theoretischen und experimentellen Untersuchungen verglichen wurden. Zweitens haben wir neue hypothetische Verbindungen für die ZrSi3O8- und Zr3SiO8-Familie vorhergesagt, die in der Raumgruppe I41/amd kristallisieren. Auf jeden Fall wurde die chemische Stabilität der untersuchten Legierungen sowohl mit der Bildungsenthalpie als auch mit der Kohäsionsenergie verifiziert. Darüber hinaus wiesen auch die Ergebnisse der Phononendispersion auf diesen Aspekt hin. Die elektronischen Eigenschaften zeigten eine starke kovalente p-d-Hybridisierung zwischen Zr und O. Die Verbindung Zr3SiO8 weist eine breite indirekte Bandlücke auf.