Bøger af Nitin Malik

Com o advento dos sistemas de comunicação electrónicos e móveis portáteis, a conceção de circuitos de modo misto de baixa tensão e baixa potência ganhou importância. Para o funcionamento de tais sistemas, como aparelhos auditivos, pacemakers cardíacos implantáveis, telemóveis e terminais multimédia portáteis, etc., a bateria é a principal fonte de energia. Estes sistemas exigem uma baixa dissipação de energia, de modo a terem uma duração e um peso razoáveis. A conceção de circuitos analógicos de elevado desempenho está a tornar-se cada vez mais difícil com a tendência persistente para tensões de alimentação reduzidas. A topologia de espelho de corrente CMOS de baixa tensão com mudança de nível foi selecionada e optimizada para obter os resultados desejados, variando as dimensões dos transístores e as tensões de polarização. A gama dinâmica melhorou por um fator de 800µA e a largura de banda melhorou em mais de 189 MHz em comparação com o trabalho de referência. A dissipação de energia melhorou em mais de 40%.

Avec l'avènement des systèmes électroniques portables et des systèmes de communication mobiles, la conception de circuits en mode mixte à basse tension et à faible consommation a pris de l'importance. Pour le fonctionnement de ces systèmes, tels que les appareils auditifs, les stimulateurs cardiaques implantables, les téléphones cellulaires et les terminaux multimédias portables, etc. Ils nécessitent une faible dissipation d'énergie afin d'avoir une durée de vie et un poids raisonnables. La conception de circuits analogiques à haute performance devient de plus en plus difficile en raison de la tendance persistante à la réduction des tensions d'alimentation. La topologie de miroir de courant CMOS à faible tension et à niveau décalé a été sélectionnée et optimisée pour obtenir les résultats souhaités en variant les dimensions des transistors et les tensions de polarisation. La gamme dynamique a été améliorée par un facteur de 800µA et la bande passante a été améliorée de plus de 189 MHz par rapport au travail de référence. La dissipation de puissance a été améliorée de plus de 40%.

Con l'avvento dei sistemi elettronici portatili e di comunicazione mobile, la progettazione di circuiti in modalità mista a bassa tensione e a basso consumo ha acquisito importanza. Per il funzionamento di questi sistemi, come apparecchi acustici, pacemaker cardiaci impiantabili, telefoni cellulari e terminali multimediali portatili, ecc. la batteria è la principale fonte di alimentazione. Questi sistemi richiedono una bassa dissipazione di potenza per avere una durata e un peso ragionevoli. La progettazione di circuiti analogici ad alte prestazioni sta diventando sempre più impegnativa con la persistente tendenza a ridurre le tensioni di alimentazione. La topologia a specchio di corrente CMOS a bassa tensione è stata selezionata e ottimizzata per ottenere i risultati desiderati variando le dimensioni dei transistor e le tensioni di polarizzazione. La gamma dinamica è migliorata di un fattore di 800µA e la larghezza di banda è migliorata di oltre 189 MHz rispetto al lavoro di riferimento. La dissipazione di potenza è migliorata di oltre il 40%.

Con la llegada de los sistemas electrónicos portátiles y de comunicación móvil, el diseño de circuitos de modo mixto de bajo voltaje y bajo consumo ha cobrado importancia. Para el funcionamiento de estos sistemas, como audífonos, marcapasos cardíacos implantables, teléfonos móviles y terminales multimedia portátiles, etc., la batería es la principal fuente de energía. Requieren una disipación de potencia baja para que la batería tenga una duración y un peso razonables. El diseño de circuitos analógicos de alto rendimiento se está convirtiendo en un reto cada vez mayor con la tendencia persistente hacia la reducción de las tensiones de alimentación. Se ha seleccionado y optimizado la topología de espejo de corriente CMOS de bajo voltaje con desplazamiento de nivel para obtener los resultados deseados variando las dimensiones de los transistores y las tensiones de polarización. El rango dinámico ha mejorado en un factor de 800µA y el ancho de banda ha mejorado en más de 189 MHz en comparación con el trabajo de referencia. La disipación de potencia ha mejorado en más del 40%.

Mit dem Aufkommen tragbarer elektronischer und mobiler Kommunikationssysteme hat die Entwicklung von Niederspannungs- und stromsparenden Mixed-Mode-Schaltungen an Bedeutung gewonnen. Für den Betrieb solcher Systeme wie Hörgeräte, implantierbare Herzschrittmacher, Mobiltelefone und tragbare Multimedia-Terminals usw. ist die Batterie die Hauptstromquelle. Sie erfordern eine geringe Verlustleistung, um eine angemessene Batterielebensdauer und ein angemessenes Gewicht zu erreichen. Die Entwicklung von Hochleistungs-Analogschaltungen wird durch den anhaltenden Trend zu niedrigeren Versorgungsspannungen immer schwieriger. Die niveaugeschobene Niederspannungs-CMOS-Stromspiegeltopologie wurde ausgewählt und optimiert, um die gewünschten Ergebnisse zu erzielen, indem die Abmessungen der Transistoren und die Vorspannungen variiert wurden. Der Dynamikbereich wurde um einen Faktor von 800µA und die Bandbreite um mehr als 189 MHz im Vergleich zur Referenzarbeit verbessert. Die Verlustleistung hat sich um mehr als 40 % verbessert.

S poqwleniem portatiwnyh älektronnyh i mobil'nyh sistem swqzi wse bol'shee znachenie priobretaet proektirowanie nizkowol'tnyh i malomoschnyh shem smeshannogo rezhima. Dlq raboty takih sistem, kak sluhowye apparaty, implantiruemye kardiostimulqtory, sotowye telefony, ruchnye mul'timedijnye terminaly i t.d., osnownym istochnikom pitaniq qwlqetsq akkumulqtor. Oni trebuüt nizkogo urownq rasseiwaemoj moschnosti, chtoby obespechit' priemlemoe wremq awtonomnoj raboty i wes. Proektirowanie wysokoäffektiwnyh analogowyh shem stanowitsq wse bolee slozhnoj zadachej w swqzi s ustojchiwoj tendenciej k snizheniü naprqzheniq pitaniq. Topologiq nizkowol'tnogo KMOP tokowogo zerkala so sdwigom urownq byla wybrana i optimizirowana dlq polucheniq zhelaemyh rezul'tatow putem izmeneniq razmerow tranzistorow i naprqzhenij smescheniq. Dinamicheskij diapazon uluchshilsq w 800 mkA raz, a polosa propuskaniq - bolee chem na 189 MGc po srawneniü s ätalonnoj rabotoj. Rasseiwaemaq moschnost' uluchshilas' bolee chem na 40 %.

With the advent of the portable electronic and mobile communication systems low-voltage and low-power mixed mode circuit design has gained importance. For the operation of such systems like hearing aids, implantable cardiac pacemakers, cell-phones and hand held multimedia terminals etc. battery is the main source of power. They require low power dissipation so as to have reasonable battery life and weight. Designing High Performance analog circuits is becoming increasingly challenging with the persistent trend toward reduced supply voltages. Level shifted low voltage CMOS current mirror topology was selected and optimized to get the desired results by varying dimensions of transistors and biasing voltages. Dynamic range has improved by a factor of 800µA and bandwidth has improved by more than 189 MHz as compared to the reference work. The power dissipation has improved by more than 40%.