Gør som tusindvis af andre bogelskere
Tilmeld dig nyhedsbrevet og få gode tilbud og inspiration til din næste læsning.
Ved tilmelding accepterer du vores persondatapolitik.Du kan altid afmelde dig igen.
This book characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. It explains different types of device architectures available to enhance the performance including InAs based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs based SG and DG-HEMT is also discussed.
Tilmeld dig nyhedsbrevet og få gode tilbud og inspiration til din næste læsning.
Ved tilmelding accepterer du vores persondatapolitik.