Gør som tusindvis af andre bogelskere
Tilmeld dig nyhedsbrevet og få gode tilbud og inspiration til din næste læsning.
Ved tilmelding accepterer du vores persondatapolitik.Du kan altid afmelde dig igen.
Fundamentals of Silicon Carbide Technology - Tsunenobu (Kyoto University Kimoto - Bog
- Growth, Characterization, Devices and Applications
indgår i Wiley - IEEE serien
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 400
- Udgivet:
- 21. november 2014
- Størrelse:
- 251x179x32 mm.
- Vægt:
- 1250 g.
- 8-11 hverdage.
- 10. december 2024
Normalpris
-
BLACK WEEK
Medlemspris
Prøv i 30 dage for 45 kr.
Herefter fra 79 kr./md. Ingen binding.
Herefter fra 79 kr./md. Ingen binding.
Beskrivelse af Fundamentals of Silicon Carbide Technology
A comprehensive introduction and up-to-date reference to SiC power semiconductor devices covering topics from material properties to applications Based on a number of breakthroughs in SiC material science and fabrication technology in the 1980s and 1990s, the first SiC Schottky barrier diodes (SBDs) were released as commercial products in 2001.
Brugerbedømmelser af Fundamentals of Silicon Carbide Technology
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Fundamentals of Silicon Carbide Technology findes i følgende kategorier:
Du kan altid afmelde dig igen.
© 2024 Tales.dk Esromgade 15, 3. | 2200 København N | Danmark | CVR: DK43351621
