Gør som tusindvis af andre bogelskere
Tilmeld dig nyhedsbrevet og få gode tilbud og inspiration til din næste læsning.
Ved tilmelding accepterer du vores persondatapolitik.Du kan altid afmelde dig igen.
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors - Bernhard Wicht - Bog
- Indbinding:
- Hardback
- Sideantal:
- 124
- Udgivet:
- 1. april 2021
- Udgave:
- 12021
- Størrelse:
- 155x235x0 mm.
- Vægt:
- 454 g.
- 8-11 hverdage.
- 6. december 2024
Normalpris
-
BLACK NOVEMBER
Medlemspris
Prøv i 30 dage for 45 kr.
Herefter fra 79 kr./md. Ingen binding.
Herefter fra 79 kr./md. Ingen binding.
Beskrivelse af Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
The authors cover the full range from fundamentals to implementation details including topics like power stages, various kinds of gate drivers (resonant, non-resonant, current-source, voltage-source), gate drive schemes, driver supply, gate loop, gate driver power efficiency and comparison silicon versus GaN transistors.
Brugerbedømmelser af Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors
Giv din bedømmelse
For at bedømme denne bog, skal du være logget ind.Andre købte også..
Find lignende bøger
Bogen Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transistors findes i følgende kategorier:
Du kan altid afmelde dig igen.
© 2024 Tales.dk Esromgade 15, 3. | 2200 København N | Danmark | CVR: DK43351621
